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设计和制造创新半导体材料的行业领导者Soitec(巴黎泛欧交易所)今天宣布与Qualcomm Technologies，Inc.达成一项供绝缘体上压电( POI)工程衬底，用于4G和5G RF滤波器。Soitec的绝缘体上压电基板为面向大众市场的智能手机5G滤波器带来了强大的价值主张。
一项确保高通技术公司新一代RF滤波器供应的协议
经过与Qualcomm Technologies的多年合作，Soitec达成了一项协议，将POI晶片生产带入大批量生产，以用于Qualcomm Technologies的RF滤波器用于智能手机RF。前端模块。
高通德国公司高级副总裁兼RFFE总经理克里斯蒂安·布洛克(Christian Block)表示：“凭借我们改变游戏规则的薄膜技术和Qualcomm®ultraSAW射频滤波器产品的创新，我们继续推动移动技术发展的极限。”RFFE GmbH。“这与Soitec公司协议的关键是保证高性能的POI基板Soitec公司从供应，并安全地支持我们的OEM客户提供高性能高通ultraSAW RF滤波器产品的需求。基于SoitecSmart CutTM的压电绝缘基板与Qualcomm Technologies的滤波器设计和系统专业知识相结合，可形成每个芯片具有多个滤波器功能的高产量多路复用器。”
Soitec的POI基板因其独特的RF滤波器价值而被选中
POI是一种创新的基板，这要归功于Soitec专有的150 mmSmart CutTM技术。它的基础是高电阻率的硅基板，在其顶部由掩埋的氧化物层和非常薄且均匀的单晶压电材料层所补充。Soitec的POI工程衬底被设计为构建最新一代的4G / 5G表面声波(SAW)滤波器。它们具有内置的温度补偿功能。
“这项商业协议是Soitec与Qualcomm Technologies合作的结果。Soitec全球业务部门高级执行副总裁Bernard Aspar博士说：“我们非常高兴Soitec POI基板现在成为高通技术5G移动设备产品的重要组成部分。”“ Soitec在服务于RF市场方面拥有丰富的经验，尤其是大量的RF-SOI。由于我们强大而成熟的Smart CutTM技术，我们对处理POI成为5G RF滤波器材料标准的能力充满信心。”
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